北京大学候仰龙教授和新加坡国立大学王学森教授来我院做学术报告

作者: 时间:2009-10-09 点击数:

应 王荣明 教授的邀请,北京大学 候仰龙 教授课题组和新加坡国立大学 王学森 教授将于周六上午(10月10日)与 王荣明 教授课题组联合举行学术研讨会。欢迎各位老师和同学积极参加。

会议主题:纳米物理与化学

:10月10日(周六)上午8:00——12:00

:主楼513 澳门新葡亰1495app大会议室

【侯仰龙教授简介】

侯仰龙,北京大学先进材料与纳米技术系特聘研究员, 博士生导师。哈尔滨工业大学博士,北京大学化学与分子工程澳门新葡亰博士后,美国布朗大学研究助理。迄今在Angew. Chem. Int. Et., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater., Chem. Commun.等国内外重要学术期刊发表40余篇学术论文,迄今他引600余次。在国内外会议作报告近30篇次。担任Angew. Chem., Chem. Commun.等近20种国内外学术期刊的审稿人。研究兴趣包括:(1) 多组分的结构及维数可控的纳米材料的合成、自组装、多元功能化、及其电磁学、光学与催化性质研究。(2) 交换弹性耦合磁体的设计与合成。(3) 纳米磁性材料在信息存储技术领域的应用。(4) 生物相容的磁性纳米粒子在生物探针、医学成像和药物传输等领域的应用。

【王学森教授简介】

王学森,新加坡国立大学物理系副教授。美国马里兰大学物理学博士,加州大学圣巴巴拉分校和明尼苏达大学博士后。在Phys. Rev. Lett, Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett等重要学术期刊上发表一系列学术论文。主要研究领域包括:表面科学、薄膜、纳米科学。主要研究手段为扫描隧道显微镜(STM)。具体成果包括:

1)用STM测定硅(111)表面上原子台阶的相互作用及对表面稳定性的影响,并利用吸附改变表面上原子台阶的尺寸与分布。

2)确定了Ge/GaAs(001)界面形成时的原子结构演化及Ge在GaAs(001)上的SK生长模式。

3)用STM测定离子轰击GaAs(110)表面产生的缺陷构造,表面粗糙过程, 以及这些缺陷对Ge在GaAs(110)上沉积生长的影响。

4)用STM/AFM测定硅(111)上原子台阶在表面氧化时的结构演化,以及硅表面氧化物纳米结构在热处理时演化。

5)在硅(111)表面成功制备出晶态外延氮化硅薄膜,并分析了表面及界面的原子结构。分析在石墨、硫化钼及氮化硅薄膜上生长的Si、Ge、Al、Sb、Bi、Mn、MnSb等团簇、纳米晶粒及纳米线(链)的形貌与表面原子结构随颗粒尺寸的变化。

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