姓名:时洪亮(副教授,博导)

职称: 副教授

邮箱: hlshi@buaa.edu.cn

姓名:时洪亮

职称:副教授

Email:hlshi@buaa.edu.cn

办公地点:北京市海淀区澳门新葡亰路37号北京航空航天大学

 

研究方向:电子结构计算,半导体材料物理,半导体缺陷物理

 

1.个人情况简介

2001.09至2005.07曲阜师范大学物理学学士

2005.09至2010.07中国科澳门新葡亰半导体研究所凝聚态物理博士学位

2010.07至2014.01北京计算科学研究中心博士后

2011.06至2013.06新加坡高性能计算研究所博士后

2014.02至2016.01美国橡树岭国家实验室博士后

2016.01至今 北京航空航天大学澳门新葡亰1495app 卓越百人计划副教授

2016.06至今 北京航空航天大学澳门新葡亰1495app 博士生导师

 

2.主要研究方向及工作

基于物理原理,在原子和离子的尺度上去理解物质的宏观性质与微观结构之间的关系,基于这些理解去设计新的功能材料。目前研究工作主要围绕着半导体光电子材料的电子结构、输运、光学和缺陷性质,热电材料,强关联体系以及相关物理性质计算方法的发展等。

 

3.招生情况

计划每年招收1-2名硕士生,鼓励学生交流访问、合作研究、参加学术会议等,欢迎踏实勤奋的同学报考研究生。研究成果优秀者尽力推荐国外博士后职位,与中科院半导体所、北京计算科学研究中心、新加坡、加拿大及美国等国内外高校科研所保持着良好的合作关系。

 

4.教学情况

承担本科生《半导体物理导论》、《工科大学物理》和研究生《凝聚态物理导论》等课程。

 

5.科研项目

2016.02-2019.01北京航空航天大学卓越百人计划,主持

2017.01-2019.12国家自然科学基金青年项目“卤化物半导体光伏材料的电子结构研究和性能优化设计”,主持

2016.05-2018.04北京科委“基于离子型忆阻器与自旋波融合的神经突触器件研制”,参与

 

6.部分发表论文

(14). Hongliang Shi, Dan Han, Shiyou Chen,and Mao-Hua Du*, “Impact of Metal ns2 Lone Pair on Luminescence QuantumEfficiency in Low-Dimensional Halide Perovskites”,Phys.Rev. Materials 3, 034604 (2019).

(13). Dan Han#, Hongliang Shi#*, WenmeiMing, Chenkun Zhou, Biwu Ma, B. Saparov, Ying-Zhong Ma, Shiyou Chen, andMao-Hua Du*, “Unraveling luminescence mechanisms in zero-dimensional halideperovskites”,J. Mater. Chem. C 6, 6398 (2018). (insideback cover) (This article is part of the themed collection: Journal ofMaterials Chemistry C top 5% most-read Q2 2018)

(12). Hongliang Shi, Wenmei Ming, David S.Parker, Mao-Hua Du, and David J. Singh, “Prospective high thermoelectric performanceof the heavily p-doped half-Heusler compound CoVSn”, Phys. Rev. B 95, 195207(2017).

(11). Wenmei Ming#, Hongliang Shi#,Mao-HuaDu*, “Large dielectric constant, high acceptor density, and deep electron trapsin perovskite solar cell material CsGeI3”, J. Mater. Chem. A 4, 13852 (2016).

(10). Hongliang Shi, Wenmei Ming, andMao-Hua Du, “Bismuth chalcohalides and oxyhalides as optoelectronic materials”,Phys. Rev. B 93, 104108 (2016).

(9). Hongliang Shi and Mao-Hua Du,“Discrete electronic bands in semiconductors and insulators: Potentialhigh-light-yield scintillators”, Phys. Rev. Applied 3, 054005 (2015).

(8). Hongliang Shi, David Parker, Mao-HuaDu, and David J. Singh, “Connecting Thermoelectric Performance andTopological-Insulator Behavior: Bi2Te3 and Bi2Te2Se from First Principles”,Phys. Rev. Applied 3, 014004 (2015). (Editor's Suggestion)

(7). Hongliang Shi and Mao-Hua Du, “NativeDefects in Tl6SI4: Density functional calculations”, J. Appl. Phys. 117, 175701(2015).

(6). Hongliang Shi, B. Saparov, David J.Singh, Athena S. Sefat, and Mao-Hua Du*, “Ternary chalcogenides Cs2Zn3Se4 andCs2Zn3Te4: Potential p-type transparent conducting materials”, Phys. Rev. B 90,184104 (2014).

(5). Hongliang Shi and Mao-Hua Du*,“Shallow halogen vacancies in halide optoelectronic materials”, Phys. Rev. B90, 174103 (2014).

(4). Hongliang Shi, Hui Pan*, Yong-WeiZhang*, and Boris I. Yakobson, “Strong ferromagnetism in hydrogenated monolayerMoS2 tuned by strain”, Phys. Rev. B 88, 205305 (2013).

(3). Hongliang Shi, Hui Pan, Yong-WeiZhang*, and Boris I. Yakobson*, “Quasiparticle band structures and opticalproperties of strained monolayer MoS2 and WS2”, Phys. Rev. B 87, 155304 (2013).

(2). Hongliang Shi, Zhong-Bing Huang*,John. S. Tse, and Hai-Qing Lin*, “Magnetic behavior of Fe(Se,Te) systems:first-principle calculations”, J. Appl. Phys. 110, 043917 (2011).

(1). Hongliang Shi*, Ping Zhang, Shu-ShenLi,and Jian-Bai Xia, “Magnetic coupling properties ofrare-earth metals (Gd, Nd) doped ZnO: First-principles calculations”, J. Appl.Phys. 106, 023910 (2009).

 

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